IV вариант

4.11. IV вариант устройства искусственного основания путем двухслойного уплотнения насыпных грунтов тяжелой трамбовкой (Рис. 7) применяется при толщине слоя насыпных грунтов ниже основания подготовки более 3,5 - 4 м, а также в местах с пониженным существующим рельефом местности и в связи с этим необходимостью дополнительной подсыпки грунтов до заданных планировочных отметок.

4.11.1. При качественном составе насыпного грунта, т.е. содержании в нем органических и др. гниющих и сильносжимаемых материалов не более 0,1 по весу и степени влажности S_r < 0,7, двухслойное уплотнение (см. Рис. 7а) включает следующие основные технологические операции:

отрывку-планировку траншеи на глубину не более чем на 2 - 2,5 м ниже основания подготовки, при которой толщина верхнего отсыпаемого слоя не превысит 2,5 - 3 м;

уплотнение насыпного грунта тяжелой трамбовкой в соответствии с II вариантом;

Источник: Технологическая карта: Технологическая карта по устройству искусственных оснований наружных сетей и малоэтажных зданий на насыпных грунтах